STI5000C晶体管图示仪

STI5000C晶体管图示仪 能够创建用于存储和直观操作的数字曲线,且能够快速而精确的生产数据点,再利用高速的ATE测试步骤生成曲线或以测试点构建曲线,曲线生成速度很快。每个步骤的典型测试时间为6到20MS,生成200个数据点曲线通常只需几秒钟。捕获的曲线数据点可以直接加载到Excel中,以创建曲线跟踪表示。数据增量可按线性或对数步骤编程。STI5000C操作简单,易于使用,先选择曲线,再输入范围并按下启动按钮,全电流范围(不限于20A),选择图......

产品描述

STI5000C晶体管图示仪能够创建用于存储和直观操作的数字曲线,且能够快速而精确的生产数据点,再利用高速的ATE测试步骤生成曲线或以测试点构建曲线,曲线生成速度很快。每个步骤的典型测试时间为6到20MS,生成200个数据点曲线通常只需几秒钟。捕获的曲线数据点可以直接加载到Excel中,以创建曲线跟踪表示。数据增量可按线性或对数步骤编程。STI5000C操作简单,易于使用,先选择曲线,再输入范围并按下启动按钮,全电流范围(不限于20A),选择图形功能的工具,刻度轴,更改日志/线性,查看曲线上的数据点,缩放,打印图形,为新扫描设置光标,保存图形,无跳线,无SMU设置选择,可进行全自动测试,并能创建可选测试以连接到外部测试设备。高分辨率确保像RDSON这样的测试在1 A测试电流下的精度为±0.5毫欧。
STI5000C

STI5000C晶体管图示仪使用说明书

广泛选择可用曲线
可编程数据点增量
增量可以是线性或对数
可编程关闭时间,以尽量减少加热
保存和调用曲线输入程序
保存和调用以前捕获的曲线图像
将曲线数据直接加载到Excel
按顺序运行多达10个曲线程序,数据自动加载到Excel
设定较大电流/电压限制,以防止损坏或发热
存储/召回测试程序
多条连续曲线
多个设备
测试程序中的电流限制
对数曲线,自动将曲线数据加载到Excel
大量曲线选择
在曲线跟踪器上编程数据点既简单又直接。下图中显示了N通道MOSFET的IDON与VDS程序屏幕。测量变量IDON的上限值为顶行条目。当达到上限值时,数据捕获终止,曲线完成。水平轴为VDS,可增量编程。可以编程两种不同的增量大小。这允许用户在曲线中感兴趣的区域编程更精细的数据点。在所示示例中,第一增量大小为400MV;第二个增量大小为4V,增量大小在VDS为4V时变化。VDS范围从10V到40V编程,VGS数据点可以类似地编程。该曲线通过在每个VGS偏置电压下扫描VDS数据点来运行,并持续到在每个VGS处获得较大ID或报告所有数据点为止。其他选项卡提供用户可选择的功能。可通过单击曲线跟踪器屏幕顶部附近的功能选择选项卡(加载/保存调用和保存程序),扫描类型选择线性或对数轴(如适用),外部继电器设置继电器驱动器以连接外部组件,ADP-401A用于在曲线跟踪器与ADP401A8针或16针可编程扫描仪和其他。控件将完成的曲线和数据点直接加载到Excel,并自动包含图形。数据点也可以用Excel提供的其他格式绘制。可以使用鼠标放大曲线的特定区域,并在完成的曲线上移动光标,以重新设置开始和停止限制,从而在感兴趣的区域中生成更详细的曲线。单击轴会将比例从线性更改为对数。单击曲线将显示曲线上的所有数据点。
STI5000C晶体管图示仪

STI5000C可使用的标准曲线

STI5000C可以使用任何可用的测试添加其他曲线。这些包括但不限于晶体管、双向晶闸管、可控硅、MOSFET、IGBT、OVP、选通器件、二极管、齐纳、光耦、稳压器、MOV、J-FET、光开关、diac、光逻辑、Quadrac、sidac、STS、SBS和继电器。
MOSFET-N通道:ID与VDS(在VG范围内);ID与VG(在VDS范围内);IS与VSD;RDS与VG(固定ID);RDS与ID(在多个VG中);IDSS与VDS(可选择反向偏置);VGSTH与ID;
MOSFET-P通道:ID与VDS(在VG范围内);ID与VG(在VDS范围内);IS与VSD;RDS与VG(固定ID);RDS与ID(在VG范围内);IDSS与VDS(可选择反向偏置);VGSTH与ID;
晶体管NPN:HFE与IC;BVCE(O、S、R、V)与IC;ICBO与VCBO;VCE(SAT)与IV(在固定IC/IB比率下);VCE(SAT)与IB(IC范围内);VBE(SAT)与IC(在固定VCE下);IC与VCE(在IB范围内,仅曲线跟踪器);IEBO与VEB;ICEO与VCE;
晶体管PNP:HFE与IC;BVCE(O、S、R、V)与IC;BVEBO与IE;ICBO与VCBO;VCE(SAT)与IC(在固定IC/IB比率下);VCE(SAT)与IB(IC范围内);VBE(SAT)与IB(在固定IC/IB比率下);VBE(开启)与IC(在固定VCE下);IC与VCE(在IB范围内,仅曲线跟踪器);IEBO与VEB;ICEO与VCE;
IGBT-N通道:IC与VCE(在VGE范围内);IC与VGE(在VCE范围内);ICES与VCE;IF与VF;VCE与VGE;
IGBT-P通道:IC与VCE(在VGE范围内);IC与VGE(在VCE范围内);ICES与VCE;IF与VF;VCE与VGE;
二极管:IF与VF;IR与VR;
稳压二极管:IF 与VF;IZ与BVZ;
双向晶闸管:IT与VT+(在固定IG和RGK打开时);IT与VT-(在固定IG和RGK打开时);
SCR:IT与VTM(在固定IG和RGK打开时);
SSOVP:IT与VT+(固定IBO时);IT与VT(固定IBO时);
SIDAC:IT与VT+ (固定IBO时);IT与 VT- (固定IBO时);
DIAC:ID与VF+;ID与VF-;
调节器正极:电子负载与VOUT(固定IMAX时);
调节器负极:电子负载与VOUT(固定IMAX时);
JFET-N通道:ID(关闭)与VDS(VG范围内);ID(关闭)与VG(反向偏置,在固定VDS下);ID(开启)与VDS(VG范围内);ID(开启)与VG(反向偏置,在固定VDS下);
JFET-P通道:ID(关闭)与VDS(VG范围内);ID(关闭vs.VG(反向偏置,在固定VDS下);ID(开启)与VDS(VG范围内);ID(开启)与VG(反向偏置,在固定VDS下);
其他曲线:负V与负I(开启状态负电阻装置,需要负载箱);正V与I(开启状态负电阻装置,需要负载箱);V与I象限I和III;
5000C 曲线跟踪器2NA至50A、20v、1Kv
5000E 分立半导体测试仪2NA至50A、20v、1Kv
5300C 曲线跟踪器2NA至50A、20v、1Kv(可扩展范围)
5300HX 分立半导体测试仪2NA至50A、20v、1Kv(可扩展范围)
 

STI5000C曲线跟踪器的测试规范和配件

  PARAMETER V RANGE I RANGE MAX RES. ACCURACY
 
 
LEAKAGE
IR,ICBO,ICEO/R/S/X,IDSS/X,
IDOFF,IDRM,IRRM
 
10V to 999V (2000V)1
 
2NA (20PA)2 to 50MA
 
1NA (1PA)2 1%+2NA+20PA/V8
(1%+200PA+2PA/V)2,8
IEBO, IGSSF,IGSSR,IGSS,IGKO,IR(OPTO) 10V to 20V (80V)3 2NA (20PA)2 to3A 1NA (1PA)2 1%+2NA+20PA/V8
(1%+200PA+2PA/V)2,8
BREAKDOWN BVCEO,
BVCES
(IGBT)
(300μS Pulse above 10mA)
10V to to450V(900V)1
to700V (1400V)1
to800V (1600V)1
100μA to 200MA
to100MA
to50MA
1MV 1%+100MV
BVDSS,VD,BVCBO,
VDRM,VRRM,VBB
 
10Vto999V (2000V)1
100NAto50MA 1MV 1%+100MV
 
 
BVR, BVZ
10Vto5.00V
to9.999V
to50.00V
to700V (1400V)1
to999V (2000V)1
BVZ-Soak-50V(100V)
0-50msto99secs
 
10μAto49.9A (500A)4
to25A (250A)4to9.9A
to100MA
to50MA
to400mA
to80mA
1MV 0.4%+2LSB
 
BVEBO,BVGSS,BVGKO
 
10Vto20V (80V)3
 
100NAto3A
1MV 1%+10MV
VCESUS VCEOSUS,VCERSUS,VCEVSUS VCE:TO1500V Inductive Kickback,35mH choke IC:to 4A 0.5V 2%+0.5V
IMPEDANCE ZZ (1kHZ)
0.1Ωto 20 KΩ
0.1Vto200VDC
(measure50μV to 300mVrms)
100μAto 300mADC 0.001Ω1μV 1%+1%Range
GAIN hFE (1to 99,999) CTR (.01to 99,999) VCE:.10Vto5.00V5 to9.99V
to49.9V
IE:10μAto 49.9A (500A)4
derate to 25A (250)4
derate to 9.99A
IF, IB:100NA to10A
.01hFE
.0001CTR
VCE:1%+10MV
IC:1%+100NA
IF, IB:1%+5NA
ON STATE VCESAT, VBESAT, VBEON VF, VT
VDSON, IDON, VGSON VGEON VF (Opto-Diode)
VCE, VD, VF, VT:.10V to 5.00V
to 9.99V
VGS, VGE, VBE, VF:.10V to 9.99V
IE, VT, IF, ID:10μA
to 49.9A (500A)4
derateto25A(250A)4
IB, IF, IGT:100NA to 10A (40A)7
1MV V:1%+10MV
IE/IF/ID/ IT:1%+100NA IB
IGT:1% + 5NA
VGSTH,
VGETH
.10V to 49.9V ID:100μA to 3A 1MV 1%+10MV
VO (Regulator) VO:.10V to 20V (50V)3
VIN:.10V to 49.9V
Load:Resistive or Electronic
IO:1MAto5A 1MV 1%+10MV
IIN (Regulator) VIN:.10V to 20V (80V)3
Load:RGK, 1K,10K,EXT,OPEN, SHORT
IIN:1MA to 3A 10NA 1%+5NA
VC .10V to 49.9V 10MA to 10A 1MV 1%+10MV
OFF VGSOFF VO:.10V to 20V (80V)3 ID:100NA (20PA)2 to 3A
VDS:.10V to 50V
1MV 1%+10MV
TRIGGER IGT
VGT
VOPER (Relay)
VD:5V to 49.9V
VGT:.10V to 20V (80V)3 .10V to 50V
IAK:to 3A
IGT:100NA to 3A RL:12,30,100Ω,EXT
10NA
1MV
.10V
1%+5NA
1%+10MV
1% +.10V
HOLD IH
VRELEASE (Relay)
VD:5V to 49.9V
.10V to 50V
IH:1.5A
IGT:100NA to 3A RL:12,30,100Ω,
EXT (Initial IAK set by RL)
1µA
.10V
 
1%+2µA
1%+.10V
LATCH IL
(Tested indirectly, no exact value)
VD:5V to 49.9V IL:100µA to 3A
IGT:100NA to 3A
RL:12,30,100Ω,EXT
N/A N/A
BREAKOVER VBO, IBO (SSOVP) VBO,
IBO (STS, DIAC) VBO,
IBO (SIDAC) VS, IS (SBS, STS)
0.10to400V1
0.10to20V (80V)3 0.10to400V1
0.10to20V (80V)3
10mAto900mA
1μAto200μA
1μAto1mA
1μAto200μA
1mV 1%+100mV
1%+10mV
1%+100mV
*精度规格是读数中±1位数字的补充
1.2000V高压(阳极/集电极)选项
2.低电流甲板选项-还增加了可编程浸泡时间,从1毫秒到99秒。对于小于1μA的电流(5000E上不可用)
3.80V低电压源(门/基)选项
4.500安培高电流甲板选项(5000E上不可用)
5.前面板端子处的电压;允许引入电缆
6.可选100V高压电源
7.40A Lo Soure选件
8.高电平或适配器:1%+2NA+40PA/V

高压选项

HVA-2000 2000V阳极/集电极选件(需要工厂安装)
HVG-80 80V栅极/基极选件,建议用于高栅极电压MOSFET(需要工厂安装)
AUX-150 用于脉冲复位试验和10x1000μS的辅助150V电源

高电流选项

HC-100 100A 大型机
HC-1.5/400 1.5A 大电流选项(IBO为400V)
LO-40 将低电源扩展至40A(仅80V栅极)

扫描仪选项

扫描仪需要处理器板和电缆或个性化夹具
ADP-401A-8 8针全可编程扫描仪,30A,1200V
ADP-401A-16 16针全可编程扫描仪,30A,1200V

App选项

SW-MAP 晶片映射选项(包括App/固件)料仓、分拣或测试结果的映射需要探测器通过RS-232提供X-Y坐标
SW-HIREL Hi-RelApp选项(增量百分比测试,包括具有重新测试功能的在线增量测试)
SW-CURVE 自动生成曲线跟踪(将曲线跟踪添加到任何系统,包括5000C)
THRML-VBE 用于热晶体管测试的VBE;可编程为10A、50V、50MS;需要硬件
DUAL-VBE 差分VBE匹配;需要扫描仪/硬件

设备适配器选项

ADP-310 光耦适配器(需要光电测试夹具)(参见光电测试夹具)
ADP-320 调节器(3端子)适配器,(需要测试夹具)(参见测试夹具)
ADP-350 uadrac/Diac测试适配器(需要测试夹具)(推荐HVG-80)
ADP-360 测试适配器:1.瞬态浪涌装置(SSOVP)
2.Sidacs 3.DIAC(需要HVA-2000)
ADP-370 8针Dip光电逻辑器件适配器
ADP-380 开尔文适配器(接受标准测试夹具)
ADP-390 继电器测试适配器
(RCOIL、VOPER、VREL、RCONT、OPTIME、RELTIME)
ADP-506 锁紧负载箱,用于精确锁紧测量
ADP-508 用于5引线设备的适配器,电流检测为10MA和开尔文引脚,也称为六角检测
ADP-ICEV 香蕉插头电阻帽

试验夹具-自检

ST-100 5000系列的自检夹具(包括购买新测试仪)
ST-200 弱电甲板的自检夹具(包括购买新的弱电甲板)
ST-300 多路复用器自检夹具(包括购买新多路复用器)
ST-345 ADP-340-5或ADP-340-5-G的自检夹具(包括购买新的ADP-340-5)
ST-601 ADP401A的自检夹具(包括购买新的ADP-401A)

测试夹具-分立/表面安装

可用的驱动和传感用EW/KELVIN双触点
FXK-220 TO-220/218(A型阳极中心销)(G型栅极中心销)
对于未列出的任何分立或表面安装设备测试夹具,请咨询银飞电子。如果插座可用,STI可根据用户的要求制作夹具。
FX-UW 用于通用销连接的任何固定装置(需要FX-CAB-UW)
FX-CAB-UW 通用有线固定装置通用有线固定装置电缆

测试夹具-个性化

适用于可编程扫描仪ADP-401和ADP401A
FX-8P-BLNK ADP-401A-8的8P空白试验夹具
FX-16P-BLNK ADP-401A-8用16P空白试验夹具
FX-8P ADP-401A-8的2至8针测试夹具(任何可用的2至8针插座)
FX-16P ADP-401A-16的2至16针测试夹具(任何可用的2至16针插座)
FX-VCC 将引脚可分配VCC和逻辑1和0添加到FX-8P、FX-16P

电缆选项

建议与处理器/探头一起使用的设备电缆和控制电缆
HAC-100 9针零调制解调器电缆
HCB-125 LC-1000控制电缆,6’(50p Centronics至50p Centronics)
HCB-150 处理装置电缆,6'
HCB-200 处理器控制电缆,6’(SOT、EOT、Fail、箱子等)(25p D-Sub P至25p D-Sub S)
HCB-301 从测试仪到HCD和适配器的互连电缆
HCB-301K 带开尔文的HCB-301
HCB-340-5 ADP-340-5G 6'用处理器设备电缆
HCB-360 9p D-Sub插头至插座6'或10'的电缆
HCB-401-8 ADP-401-8扫描仪的处理器设备电缆
HCB-401-16 ADP-401-16扫描仪的处理装置电缆
HCB-410 ADP-410(适配器至未端接导线)的处理器设备电缆
HCB-500 HC-500处理装置电缆6'(200A)
HCB-502 装置用HC阳极和阴极电缆
HCB-A615 辅助控制电缆(6p圆形P至6p圆形S)

接口板选项

EXT-200 外部控制板,提供SOT测试接收EOT(U1-12)和通过/失败(U1-13),15个继电器驱动器
PI-200 探针接口卡
HI-100 处理器接口卡,继电器闭合,16个箱子
银飞有售STI5000C晶体管图示仪
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